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    中芯國際推出差異化的0.13微米低功耗嵌入式工藝

    為客戶提供更低成本,更佳性能和更靈活的設(shè)計(jì)

    上海2013年10月15日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際",紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所代碼:981),中國內(nèi)地規(guī)模較大、技術(shù)先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今日宣布,其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式閃存(eFlash)工藝已正式進(jìn)入量產(chǎn)。該技術(shù)是中芯國際NVM非揮發(fā)性記憶體平臺的延續(xù),為客戶提供了一個(gè)高性能、低功耗和低成本的差異化解決方案。

    中芯國際的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)平臺可為客戶提供以下優(yōu)勢:

    • 強(qiáng)耐度:具備高達(dá)300K周期的優(yōu)秀的循環(huán)擦寫能力,達(dá)到業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的三倍;
    • 極具成本效益:制程創(chuàng)新,使用較少的工藝步驟;
    • 低漏電工藝適合極低功耗的應(yīng)用并提升性能及可靠性:后段采用銅制程(Cu-BEoL)適合需要高電流密度的應(yīng)用。

    中芯國際的0.13微米低功耗嵌入式閃存技術(shù)擁有全面的IP,包括如PLL 、ADC 、LDO、USB等,同時(shí)融合了該技術(shù)低功耗、 高性能和高可靠性的特點(diǎn),可適用于具有低功耗需求的廣泛的微控制器(MCU)應(yīng)用包括移動設(shè)備、智能卡等。此外,中芯國際預(yù)期將提供RF、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)方面的應(yīng)用。

    "我們?yōu)榭蛻魧ξ覀?.13微米差異化的嵌入式閃存技術(shù)的快速接受和積極反響感到鼓舞。"中芯國際市場營銷和銷售執(zhí)行副總裁麥克瑞庫表示,"我們很高興地看到0.13微米嵌入式閃存技術(shù)在觸摸控制器(TCIC, Touch Controller IC)上的應(yīng)用已進(jìn)入量產(chǎn)。根據(jù)IHS-iSuppli市場調(diào)查顯示,觸摸控制器的全球需求量將從 2012年起實(shí)現(xiàn)21%的年復(fù)合增長率,2017年將達(dá)到約 27 億個(gè)單元。"

    消息來源:中芯國際集成電路制造有限公司
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