比三星上一代產(chǎn)品提高約50%的位密度(bit density)

通過(guò)先進(jìn)的通道孔蝕刻技術(shù)（channel hole etching）提高生產(chǎn)效率

深圳2024年4月23日 /美通社/ -- 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場(chǎng)的卓越地位。

"我們很高興能推出三星首款第九代V-NAND，這將有機(jī)會(huì)推動(dòng)未來(lái)應(yīng)用的飛躍發(fā)展。"三星電子閃存產(chǎn)品與技術(shù)主管SungHoi Hur表示。"為了滿(mǎn)足不斷發(fā)展的NAND閃存解決方案需求，三星在這款產(chǎn)品的單元架構(gòu)和運(yùn)行方案上不斷突破極限。通過(guò)我們最新的V-NAND，三星將在高性能、高密度SSD市場(chǎng)中持續(xù)創(chuàng)新，滿(mǎn)足未來(lái)人工智能時(shí)代的需求。"

憑借當(dāng)前三星最小的單元尺寸和最薄的疊層厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了約50%。單元干擾避免和單元壽命延長(zhǎng)等新技術(shù)特性的應(yīng)用提高了產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性，而消除虛通道孔則顯著減少了存儲(chǔ)單元的平面面積。

此外，三星先進(jìn)的"通道孔蝕刻"技術(shù)展示了其在制程方面的卓越能力。該技術(shù)通過(guò)堆疊模具層來(lái)創(chuàng)建電子通路，可在雙層結(jié)構(gòu)中同時(shí)鉆孔，達(dá)到三星最高的單元層數(shù)，從而最大限度地提高了制造生產(chǎn)率。隨著單元層數(shù)的增加，穿透更多單元的能力變得至關(guān)重要，這就對(duì)更復(fù)雜的蝕刻技術(shù)提出了要求。

第九代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口"Toggle 5.1"，可將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%，最高可達(dá)每秒3.2千兆位（Gbps）。除了這個(gè)新接口，三星還計(jì)劃通過(guò)擴(kuò)大對(duì)PCIe 5.0的支持來(lái)鞏固其在高性能固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的地位。

與上一代產(chǎn)品相比，基于三星在低功耗設(shè)計(jì)方面取得的進(jìn)步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。隨著降低能耗和碳排放成為客戶(hù)的重要需求，三星的第九代V-NAND預(yù)計(jì)將成為未來(lái)應(yīng)用的理想解決方案。

三星已于本月開(kāi)始量產(chǎn)第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品，并將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)四層單元（QLC）第九代V-NAND。

*本文中的產(chǎn)品圖片以及型號(hào)、數(shù)據(jù)、功能、性能、規(guī)格參數(shù)等僅供參考，三星電子有可能對(duì)上述內(nèi)容進(jìn)行改進(jìn)，具體信息請(qǐng)參照產(chǎn)品實(shí)物、產(chǎn)品說(shuō)明書(shū)或三星半導(dǎo)體官網(wǎng) （https://semiconductor.samsung.com/cn/）。除非經(jīng)特殊說(shuō)明，本網(wǎng)站中所涉及的數(shù)據(jù)均為三星內(nèi)部測(cè)試結(jié)果，涉及的對(duì)比均為與三星產(chǎn)品相比較。