韓國首爾2021年10月20日 /美通社/ -- SK海力士(或“公司”，www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
HBM3是第四代HBM(High Bandwidth Memory)技術*，由多個垂直連接的DRAM芯片組合而成，是一種高價值產(chǎn)品，創(chuàng)新性地提高了數(shù)據(jù)處理速度。
*HBM版本名稱：HBM(第一代) - HBM2(第二代) - HBM2E(第三代) |
SK海力士去年7月在業(yè)界首次開始批量生產(chǎn)HBM2E* DRAM后，時隔僅1年零3個月開發(fā)了HBM3，鞏固了該市場的主導權。
*HBM2E ：從第二代HBM2中改進部分性能的擴展(Extended)版本 |
SK海力士強調(diào)，“通過此次HBM3，不僅實現(xiàn)了目前為止的HBM DRAM中最高的速度和最大容量，還大幅提高了質(zhì)量水平。”
SK海力士研發(fā)的HBM3能夠每秒處理819GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸 163部全高清(Full-HD)電影(每部5GB)。與上一代HBM2E相比，速度提高了約78%。
與此同時，該產(chǎn)品還內(nèi)置了ECC校檢(On Die-Error Correction Code)。HBM3通過該內(nèi)置型ECC校檢可以自身修復DRAM單元(cell)的數(shù)據(jù)的錯誤，因此產(chǎn)品的可靠性也大幅提高。
此次HBM3將以16GB和24GB兩種容量上市。特別是24GB是業(yè)界最大的容量。為了實現(xiàn)24GB，SK海力士技術團隊將單品DRAM芯片的高度磨削到約30微米(μm, 10-6m)，相當于A4紙厚度的1/3，然后使用TSV技術垂直連接12個芯片。
*TSV(Through Silicon Via，硅通孔技術)：在DRAM芯片打上數(shù)千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術 |
HBM3將搭載高性能數(shù)據(jù)中心，有望適用于提高人工智能(AI)完成度的機器學習(Machine Learning)和分析氣候變化，新藥開發(fā)等的超級計算機。
負責SK海力士DRAM開發(fā)的車宣龍副社長表示，“該公司推出了全球首款HBM DRAM，引領了HBM2E市場，并在業(yè)界內(nèi)首次成功開發(fā)了HBM3。公司將鞏固在高端存儲器市場的領導力，同時提供符合ESG經(jīng)營的產(chǎn)品，盡最大努力提高客戶價值。”
關于SK海力士
SK海力士總部位于韓國, 是一家全球領先的半導體供應商, 為全球客戶提供DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器), NAND Flash(NAND快閃存儲器)和CIS(CMOS圖像傳感器)等半導體產(chǎn)品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。若想了解更多, 請點擊公司網(wǎng)站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。
